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电子阻挡层和反射层能有用进步氮化物LED光功率
来源:http://forbesautobody.com 责任编辑:ag88环亚国际 更新日期:2018-10-10 18:14
电子阻挡层和反射层能有用进步氮化物LED光功率 近来,台湾国立成功大学和昆山科技大学协作,在氮化物 LED 的p电极下刺进二氧化硅/铝多层结构,器材光功率得到明显进步。这儿二氧化硅能够改进有源区的电流扩展,下降电流堆积效应,而铝作为放射镜能够下降p电

  电子阻挡层和反射层能有用进步氮化物LED光功率

   近来,台湾国立成功大学和昆山科技大学协作,在氮化物LED的p电极下刺进二氧化硅/铝多层结构,器材光功率得到明显进步。这儿二氧化硅能够改进有源区的电流扩展,下降电流堆积效应,而铝作为放射镜能够下降p电极对光的吸收,添加蓝宝石衬底边光的提取。他们比较了三个LED(普通型作为参照,二氧化硅阻挠层的LED,以及二氧化硅阻挠层+铝反射镜的LED),20毫安作业电流下,运用二氧化硅电流阻挠层较传统结构器材功率进步15.7%,而运用二氧化硅阻挠层+铝反射镜,功率则进步了25.8%。

  当时大都氮化物LED都是在绝缘的蓝宝石衬底上外延成长的,因此p电极和n电极都在蓝宝石的同侧,这样金属电极,特别是间隔有源区近的p电极,都会吸收光而下降了LED光的有用提取。假如经过下降电极厚度来削减对光的吸收,将会引起电流散布不均匀,形成部分高电流密度,发生droop效应,下降了LED的功率。因此电流扩展问题成为现在困扰LED器材功率进步的一个关键所在。

  国立成功大学新提出的反射阻挠层结构,即选用二氧化硅阻挠层+铝反射镜,其间铝反射镜对430-480纳米蓝光的反射率达到了91%。这种新结构不光改进了电流扩展,添加光的提取,并且还下降了反向漏电,5V电压下反向漏电流从传统结构的33.2 nA下降到了29.3 nA,这是二氧化硅对外表缺陷的钝化效应引起的。反射阻挠层新结构的一个小缺陷是下降了p-GaN和ITO电流扩展层的触摸面积,这样会引起LED作业电压略微进步,20mA电流下,电压从传统结构的3.6V进步到3.7V。

  

  
图1:光输出功率/电流比照电压(L-I-V)(黑色为参阅线,赤色为正常阻塞,绿色为阻挠加反射后LED功能)

  

  
图2:氮化物半导体外延结构图解

  

  
图3:顶端为三种LED的电荷耦合器材图形
底端为相应的结构示意图

  

  

   氮化物LEDLED芯片蓝宝石衬底二氧化硅阻挠层

 
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